
Variables
Descripción
¿Qué calcula esta fórmula?
La relación de banda prohibida en un semiconductor intrínseco calcula la concentración intrínseca de portadores en función de la energía de banda prohibida y la temperatura. Describe cómo la excitación térmica genera electrones y huecos en materiales intrínsecos.
Cuándo se utiliza
Esta fórmula se utiliza en física de semiconductores, análisis de materiales electrónicos e ingeniería de dispositivos al estudiar la generación de portadores dependiente de la temperatura en semiconductores intrínsecos.
Ejemplo
Un semiconductor tiene:
Nc = 2.8×10^25 1/m³
Nv = 1.04×10^25 1/m³
Eg = 1.79×10^-19 J
T = 300 K
Usando:
n_i = √(NcNv)e^(-Eg/(2kT))
Donde:
k = 1.38×10^-23 J/K
Sustitución:
n_i = √((2.8×10^25)(1.04×10^25)) × e^(-(1.79×10^-19)/(2×1.38×10^-23×300))
Resultado:
n_i ≈ 1.5×10^16 1/m³
Aplicaciones
- Análisis de dispositivos semiconductores
- Cálculo de portadores intrínsecos
- Conductividad dependiente de temperatura
- Caracterización de materiales electrónicos
- Fabricación de semiconductores
- Física del estado sólido
