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Corriente de Drenaje en Saturación MOSFET

Corriente de Drenaje en Saturación MOSFET
\[I_D=\frac{k}{2}(V_{GS}-V_{th})^2\]

Variables

Idcorriente de drenaje (A)
kparámetro de transconductancia MOSFET (A/V²)
Vgsvoltaje compuerta-fuente (V)
Vthvoltaje umbral (V)

Descripción

¿Qué calcula esta fórmula?

La fórmula de Corriente de Drenaje en Saturación MOSFET calcula la corriente de drenaje de un MOSFET operando en la región de saturación. Esta es una de las regiones de operación más importantes para amplificación analógica.


Cuándo se utiliza

Se utiliza al analizar o diseñar amplificadores MOSFET, circuitos integrados analógicos, electrónica de conmutación o redes de polarización de transistores.


Ejemplo

Un transistor NMOS tiene un parámetro de transconductancia de 0.5 A/V², un voltaje umbral de 2 V y un voltaje compuerta-fuente de 5 V.


Datos:


k = 0.5 A/V²

Vgs = 5 V

Vth = 2 V


Fórmula:


Id = (k/2)(Vgs - Vth)^2


Sustitución:


Id = (0.5/2)(5 - 2)^2


Resultado:


Id = 2.25 A


La corriente de drenaje del MOSFET es 2.25 A.


Aplicaciones

Amplificadores MOSFET, circuitos CMOS, circuitos integrados analógicos, fuentes de alimentación conmutadas, drivers electrónicos y electrónica de semiconductores.

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Idioma del contenido

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